珠海兴芯存储于2018年6月设立于珠海高新区，是一家专注于新型存储器MRAM、RRAM产品与IP的设计公司。主要研发团队来自于存储器及半导体大厂的资深研发人员。
公司拥有多项国际顶尖的存储器发明专利，通过<28nm MRAM芯片验证，兴芯自主的的“位元修复”专利技术，可大幅提升MRAM的各项性能指标，读写速度达到10纳秒，擦写次数(endurance)>10的14次方，资料保存时间：20年@85度C。是国内第一家达到NV-RAM（Non-Volatile RAM）规格的厂商，实现国产替代高价进口的FRAM， BatterBackupSARM， NVSRAM。
新型存储器产品及IP可以广泛的应用于各项车用电子、磁盘阵列、工业控制、移动终端、企业级固态硬盘、服务器、人工智能、物联网等领域，随着晶圆代工厂RRAM、MRAM工艺陆续进入量产，未来新型存储器将快速成长。
