致力于MRAM芯片的研发，是国内首个2xnm以下MRAM核心器件，其关键指标达到国际领先水平。自有国内首创12英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，也具有能微缩至1xnm以下的潜力实现产品全流程自主可控。

兴芯存储开启MRAM在存储界的新篇章。其MRAM兼具Flash的非易失性、MRAM有媲美SRAM的写入、DRAM的高速读写特性、媲美FRAM的极高擦写次数，特别适用于嵌入式内存的新兴领域.，在工业控制、企业级存储、 人工智能、汽车电子、高可靠卫星通讯、等应用领域有广泛的应用前景。

新型存储器产品及IP可以广泛的应用于各项车用电子、磁盘阵列、工业控制、移动终端、企业级固态硬盘、服务器、人工智能、物联网等领域，随着晶圆代工厂RRAM、MRAM工艺陆续进入量产，未来新型存储器将快速成长。